采用微机电系统(MEMS)技术结合金属辅助化学腐蚀工艺制作出关键结构为纳米氧化硅的阵列芯片,细胞可以定点黏附在纳米氧化硅上。通过实验计算和分析得知,在0.7~23μm内,纳米线长度约为3μm时深宽比适宜,有利于黏附蛋白充分铺展,黏附效率达到最高85%。改变培养时间(5~480 min)和细胞浓度(0.5~4.0),发现培养时间在不低于4 h,细胞浓度在1.5时,由于伪足充分缠绕于纳米线上,阵列饱和度达到最高83%。实验结果表明:制作出的单细胞阵列芯片具有较高的黏附效率和阵列饱和度,达到了高通量的标准。 高通量单细胞阵列芯片制备与研究面抛光片，经标准清洗工艺处理。流程图如图1所示。(a)在硅片上旋涂1．4μm的光刻正胶，转速3000r/min，时间30s。(b)曝光和显影，光刻胶被曝光的圆形阵列区域溶于显影液。前烘温度110℃，前烘时间90s，曝光时间3．5s，显影时间45s，后烘135℃，时间30min。(c)深反应离子刻蚀(deepreactiveionetching，DRIE)或MACE工艺处理，使硅片表面没有被光刻胶保护的部分被刻蚀得到硅纳米线。(d)丙酮去胶，使平滑的硅裸露出来。(e)高温热氧，使得硅纳米线区域以及平滑区域均被氧化，温度950℃，时间210min。图1阵列制备1信号分离-电动液压缩管机数控滚圆机滚弧机价格低电动滚圆机多少钱．2硅纳米线的制作1．2．1干法工艺DRIE是SF6和C4F8气体对表面刻蚀、钝化不断重复的过程，通过合理设置各参数，可以在硅片表面生成微纳级硅柱阵列［8］。1．2．2MACEMACE是一种各向异性腐蚀，包括两个步骤:一是溶液中的金属离子被还原，从而沉积在硅片表面;二是沉积的金属做催化剂，使得它下面的硅发生氧化反应，形成的氧化硅被溶液中的HF刻蚀掉，从而使金属继续向下沉积［9］， 

www.suoguanjixie.name最终没有被刻蚀的硅形成硅纳米线。本实验中所用金属离子为Ag+，溶液各组成成分为:0．02mol/L的AgNO3，0．3mol/L的H2O2以及5mol/L的HF。实验在室温下进行，沉积30s，腐蚀时间根据实验需要调节。实验后残余的金属Ag用高浓度硝酸(5mol/L)去除。1．3细胞培养实验步骤实验所用细胞为人肺癌细胞A549，培养基为含有10%胎牛血清、1%抗生素的RPMI1640，培养箱中CO2含量为5%，温度恒定在37℃。染色所用DiO探针对标记的细胞活性并无明显影响，并且可存于细胞内长达数星期，可以满足实验要求分析钢轨垂向应变信号基线漂移产生的原因,并采用小波变换对垂向应变信号进行分解与重构,分离信号中由温度引起的应变与轮轨力产生的应变。在Matlab环境下对分布式钢轨应力检测技术与无线传感网系统数据库中垂向应变信号进行处理,结果表明,该方法可以有效地分离信号中的不同成分。 信号分离-电动液压缩管机数控滚圆机滚弧机价格低电动滚圆机多少钱  www.suoguanjixie.name